英國Raptor Photonics公司的Falcon III XO相機是一款高速X射線相機，幀頻可達31幀/秒，采用DN160CF(8”)法蘭設計，可以與真空室直接連接。相機采用電子倍增EMCCD芯片，高達5000倍的EM Gain，實現對采集信號的放大，探測能量范圍覆蓋12eV到20keV，可實現對真空紫外VUV、軟X射線的直接探測。
主要特性
.DN160CF (8”)法蘭設計，可直接與真空室連接
.EMCCD芯片，分辨率1024x1024
.滿分辨率幀頻31fps
.可直接探測能量范圍12eV-20keV
.制冷溫度-70℃，暗電流<0.001e - /p/s
.讀出噪聲<1e -
典型應用
EUV X射線光譜、軟X射線顯微鏡、VUV/EUV/XUV光刻、X射線衍射成像(XRD)、X射線熒光成像(XRF)、X射線相襯成像
>>X-ray衍射（XRD）
X射線成像及熒光成像(XRF)、X射線衍射成像(XRD)、X射線顯微鏡、共振非彈性X射線散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光譜、薄膜及納米纖維、材料組成及結構、X射線等離子體診斷、全息照相及光刻
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Falcon III XO – Open Front X-Ray
Fastest Scientific X-ray EMCCD camera on the market
The only high energy direct X-Ray using a 1MP Frame Transfer EMCCD sensor. The Falcon III XO offers a combination of speed and sensitivity for soft X-Ray applications up to 20KeV. The camera runs at 31.5fps in full resolution, fasted with ROI and binning. It offers <1e- readout noise using EM Gain. The Falcon III XO is available with options on cooling, as well as a selection of CF flanges .
? Open front end – CF208 (8”) flange for direct interfacing to vacuum chambers
? Back-Illuminated with no coating – Optimises sensitivity and large field of view imaging from 1.2keV to 20keV
? Fast frame in full resolution: 34 fps – Ideal for full-frame imaging with fast repetition lasers
? Deep cooled to -70°C – For minimal background event
產品參數：
型號 | FA351XO-BN-CL |
芯片類型 | EMCCD |
有效像素 | 1024 x 1024 |
像素尺寸 | 10μm x 10μm |
有效面積 | 10.2mm x 10.2mm |
滿阱 | >20ke- |
移位寄存器阱深 | 200ke- |
讀出噪聲（RMS） | EM Gain ON: <1e- EM Gain OFF: <60e- |
滿分辨率幀頻 | 31Hz |
暗電流（e-/p/s） | 0.001 @ -70°C |
數據輸出格式 | 16 bit Camera Link (base configuration / SDR) |
峰值量子效率 | ＞95 |
光譜響應范圍 | 12eV to 20keV |
制冷溫度 | 70°C with 20°C liquid |
像元合并 | 1x1 up to 8x8 |
同步方式 | Trigger IN and OUT - TTL compatible |
供電方式 | 12V DC ±0.1 |
總功耗 | <75W (TEC ON, Steady State) |
工作溫度 | -20°C to +55°C |
存儲溫度 | -30°C to +60°C |
外形尺寸 | 168.7mm x 120.0mm x 118.6mm |
重量 | <1.5Kg |
典型應用
?x射線成像和熒光(XRF) ?x射線衍射(XRD) ?x射線顯微鏡?VUV/EUV/XUV光譜學?薄膜和納米纖維?材料組成和結構?x射線等離子體診斷?全息和光刻
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的界限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機，可以輕松實現XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
? X-ray imaging and fluorescence (XRF)
? X-Ray Diffraction (XRD)
? X-ray microscopy
? RIXS
? VUV/EUV/XUV Spectroscopy
? Thin films and nanofibers
? Material Composition and Structure
? X-ray plasma diagnostics
? Holography and lithography